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智(zhi)能電(dian)解(jie)法(fa)次(ci)氯(lv)酸鈉(na)發生(sheng)器

簡要描述：智能(neng)電(dian)解(jie)法(fa)次(ci)氯(lv)酸鈉(na)發生(sheng)器自(zi)動控(kong)制(zhi)系(xi)統，確(que)保(bao)次(ci)氯(lv)酸鈉(na)的生(sheng)產(chan)能在(zai)無(wu)人(ren)操作(zuo)下(xia)完(wan)成。設(she)定 PLC 自(zi)動控(kong)制(zhi)系(xi)統，實(shi)現全自(zi)動處(chu)理(li)模式(shi)。配置(zhi)現場(chang)觸摸(mo)屏，操作(zuo)簡便(bian)，安(an)全性(xing)更(geng)高。

產(chan)品(pin)型號(hao)：
廠(chang)商(shang)性(xing)質：生(sheng)產(chan)廠家(jia)
更(geng)新(xin)時間(jian)：2025-04-15
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智能(neng)電(dian)解(jie)法(fa)次(ci)氯(lv)酸鈉(na)發生(sheng)器根據(ju)化學(xue)測(ce)定，PPM級濃(nong)度(du)的(de)次(ci)氯(lv)酸鈉(na)在水裏幾乎(hu)是(shi)*水(shui)解(jie)成次(ci)氯(lv)酸，其效(xiao)率(lv)高。其過(guo)程(cheng)可用化學(xue)方(fang)程(cheng)式簡單(dan)表(biao)示如下(xia)：

NaClO+H2O＝HClO+NaOH

HClO→HCl+[O]

2、次(ci)氯(lv)酸鈉(na)發生(sheng)器中(zhong)的(de)次(ci)氯(lv)酸在殺菌(jun)、殺(sha)毒(du)過(guo)程(cheng)中(zhong)，不僅(jin)可作用(yong)於細(xi)胞壁、外(wai)殼(ke)，而且因(yin)次(ci)氯(lv)酸分子(zi)小(xiao)，不帶電(dian)荷(he)，還可滲透(tou)入菌(jun)體(ti)內，與(yu)菌(jun)體(ti)蛋白、核(he)酸(suan)、和(he)酶(mei)等(deng)有(you)機高分子(zi)發(fa)生(sheng)氧化反應，從(cong)而(er)殺(sha)死(si)病原(yuan)微生(sheng)物(wu)。

R-NH-R+HClO→R2NCl+H2O

同時，次(ci)氯(lv)酸產(chan)生(sheng)出(chu)的氯(lv)離子還能顯(xian)著(zhe)改(gai)變(bian)細(xi)菌(jun)和(he)體(ti)的(de)滲(shen)透(tou)壓，使其細(xi)胞喪(sang)失活(huo)性(xing)。

在鹽(yan)水(shui)溶(rong)液中(zhong)含(han)有Na+ 、H-等(deng)幾種(zhong)離(li)子(zi)，按照(zhao)電(dian)解(jie)理(li)論(lun)，當插入電(dian)極(ji)時(shi)，在(zai)壹定的電(dian)壓下，電(dian)解(jie)質(zhi)溶(rong)液由於(yu)離(li)子的移(yi)動和(he)電(dian)極(ji)反應，發生(sheng)導(dao)電(dian)作(zuo)用(yong)，這(zhe)時CL-、OH-等負離(li)子(zi)向陽(yang)極移動，而Na+、H+等(deng)正(zheng)離(li)子(zi)向(xiang)陰(yin)極移動，並(bing)在相(xiang)應的電(dian)極(ji)上發(fa)生(sheng)放(fang)電(dian)，從(cong)而(er)進(jin)行(xing)氧化還原(yuan)反應，生(sheng)產(chan)相(xiang)應的物(wu)質(zhi)。

(壹)次(ci)氯(lv)酸鈉(na)發生(sheng)器為(wei)組(zu)合(he)形(xing)式(shi)，鹽(yan)的(de)溶(rong)解(jie)，稀鹽(yan)水(shui)的(de)調(tiao)配，投加(jia)計量及(ji)次(ci)氯(lv)酸鈉(na)循(xun)環(huan)發(fa)生(sheng)在(zai)壹只槽體內進(jin)行(xing)，投資少(shao)、占地(di)省(sheng)、設(she)置(zhi)靈活(huo)。

(二)發生(sheng)器為(wei)管(guan)狀、內冷、單(dan)極(ji)、串(chuan)開相(xiang)接(jie)的組合(he)形(xing)式(shi)，發(fa)生(sheng)器陽(yang)極以鈦為(wei)基體(ti)，塗二氧化釕，電(dian)位低、壽命(ming)長(chang)。在(zai)正(zheng)常(chang)操作(zuo)情(qing)況(kuang)下．每(mei)支(zhi)每(mei)次(ci)連(lian)續發(fa)生(sheng)200—300小(xiao)時(shi)。次(ci)氯(lv)酸鈉(na)發生(sheng)過(guo)程(cheng)為(wei)隔(ge)膜式自(zi)然循(xun)環(huan)形(xing)式(shi)，因(yin)此，鹽(yan)利(li)用(yong)率(lv)高，電(dian)解(jie)過(guo)程(cheng)電(dian)流(liu)效(xiao)率(lv)高，次(ci)氯(lv)酸鈉(na)產(chan)率大(da)，能耗(hao)小(xiao)，運(yun)行(xing)費(fei)用低。

智(zhi)能(neng)電(dian)解(jie)法(fa)次(ci)氯(lv)酸鈉(na)發生(sheng)器通過(guo)向設(she)備(bei)內添加壹定量的(de)食鹽(yan)水(shui)，利(li)用(yong)電(dian)極(ji)的(de)電(dian)解(jie)反應將食(shi)鹽(yan)水(shui)電(dian)解(jie)成壹定濃(nong)度(du)的(de)次(ci)氯(lv)酸鈉(na)溶液，然(ran)後(hou)將次(ci)氯(lv)酸鈉(na)溶液儲(chu)存以備(bei)將來(lai)使用。

電(dian)解(jie)槽加有鹽(yan)水(shui)後(hou)，按下(xia)主(zhu)機(ji)開關，電(dian)源(yuan)指示燈(deng)亮(liang)。將(jiang)電(dian)壓表調(tiao)到（12V或(huo)24V，即(ji)旋(xuan)鈕向(xiang)右到頭(tou)），慢慢調(tiao)電(dian)流(liu)旋(xuan)鈕，觀(guan)看(kan)電(dian)壓表，不超過(guo)規定電(dian)壓，（此時(shi)電(dian)流(liu)沒(mei)有(you)到(dao)規定值）待電(dian)解(jie)時(shi)間(jian)加(jia)長(chang)，電(dian)解(jie)鹽(yan)水(shui)溫度(du)升高，電(dian)壓慢慢下(xia)降，再慢慢旋(xuan)轉電(dian)流(liu)表(biao)旋(xuan)鈕，電(dian)流(liu)增加。但(dan)總(zong)保持(chi)電(dian)壓不超過(guo)規定值，直至電(dian)流(liu)到(dao)規(gui)定值時，電(dian)壓也在(zai)規(gui)範(fan)圍內為(wei)止(zhi)，此時(shi)為(wei)正(zheng)常(chang)電(dian)解(jie)。